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  • 公司历程

    • 1976年
    • 1980年
    • 1982年
    • 2001年
    • 2004年
    • 2009年
    • 2010年
    • 2011年
    • 2012年
    • 2013年
    • 2014年
    • 2015年
    • 2016年
    • 1976

      邮电部固体器件研究所(光迅科技前身)成立。

    • 1980

      1980年,长江激光电子有限公司(WTD前身)正式成立,是一家中外合资高新技术企业。

    • 1982

      长江激光电子有限公司更名为武汉电信器件公司。

    • 2001

      邮电部固体器件研究所转制成立武汉光迅科技有限责任公司。

    • 2004

      经国务院国资委、商务部批准,武汉光迅科技有限责任公司完成股份制改造,整体变更为武汉光迅科技股份有限公司。同年,中方收购WTD美方全部股份,并更名为武汉电信器件有限公司。

    • 2009

      光迅科技在深圳证券交易所挂牌上市,成为国内首家上市的光电子器件企业(股票代码:002281)。同年,光迅科技光电子产业园项目正式开工奠基。

    • 2010

      光迅美国有限公司在美国加州硅谷成立,这是光迅科技在海外投资设立的第一家全资子公司。

    • 2011

      历时两年的光迅光电子产业园一期建设项目顺利通过竣工验收,同年9月,公司整体搬迁工作圆满完成。

    • 2012

      光迅科技和武汉电信器件有限公司(WTD)合并重组,掀开了光迅整合发展的新篇章。

    • 2013

      光迅科技完成收购高端芯片厂商丹麦IPX(Ignis Photonyx A/S)公司,跨出了国际化并购第一步。

    • 2014

      光迅科技非公开发行股票募集6.1亿元,投资于“宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目”;随后,公司光电子产业园建设项目二期工程工作小组成立,产业园二期工程策划全面启动。截至2016年底,项目主体工程已完成封顶,后续收尾工作正在有条不紊的推进。

    • 2015

      光迅科技市值首破100亿元,根据世界电信产业权威第三方评测机构OVUM统计,市场份额进至全球第五,行业地位进一步提升、综合实力提档进位,向“全球前三”目标全力进军。

    • 2016

      光迅科技坚持为股东创造价值,市值持续增长;行业地位稳步提高,据OVUM统计依然保持全球第五,综合实力稳中有进。

    走进光迅
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